02.10.2014 Samsung начала производство твердотельных дисков 3,2 ТБ NVMe на базе технологии 3D V-NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства твердотельных дисков 3,2 ТБ NVMe PCIe на базе технологии флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND), которые предназначены для корпоративных серверных систем премиум-класса. В новой модели твердотельного диска NVMe PCIe SM1715 используется проприетарная технология

30.05.2014 Samsung начинает серийное производство модулей 32-слойной флэш-памяти 3D V-NAND второго поколения

Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND

30.04.2014 Samsung начинает серийное производство твердотельных дисков 3-bit NAND для ЦОДов

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства высокопроизводительных твердотельных дисков 3-bit NAND, предназначенных для серверов и центров обработки данных. Новые твердотельные диски позволят ЦОДам более качественно управлять рабочими нагрузками при обработке трафика социальных сетей, п

06.11.2013 Toshiba начинает выпуск новых встраиваемых модулей флэш-памяти NAND по 19-нм техпроцессу второго поколения

Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-наномет

06.08.2013 Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технол

28.08.2012 SSD-накопители Seagate Pulsar стали частью высокопроизводительных систем Nor-Tech
10.08.2011 Hitachi GST выпустила новое семейство SSD-дисков на базе MLC корпоративного класса

. Будучи более эффективной по стоимости альтернативой SDD-дискам на базе SLC, накопители на основе технологии MLC (многоуровневая ячейка памяти) от Hitachi GST используют 25-нанометровую сверхпрочную NAND флэш-память промышленного исполнения на основе MCL и обеспечивают высокую производительность для технологии MLC, говорится в сообщении Hitachi GST. Новое семейство Ultrastar SSD400M предла

15.04.2011 Intel начинает выпускать память по 20-нм техпроцессу

Intel и Micron Technology объявили о переходе на 20-нм технологический процесс при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) е

10.12.2010 Сбой на заводе Toshiba может увеличить стоимость флэш-памяти

Сбой на заводе Toshiba, на котором производятся чипы NAND-памяти для мобильных устройств, произошедший 9 декабря, может привести к удорожанию N

20.05.2010 Рынок NAND-памяти: Toshiba сократила разрыв c Samsung

Мировые продажи флэш-памяти типа NAND в 1-м квартале 2010 г. выросли по сравнению с 4-м кварталом 2009 г. на 0,6% до $4,36 млрд. Фактически это означает существенное улучшение ситуации на рынке, так как обычно в начале года по

19.05.2010 Intel и Micron начали коммерческие поставки 25-нм чипов NAND-памяти

местное предприятие между Intel и Micron, объявило о начале массового производства флэш-памяти типа NAND на базе 25-нм техпроцесса. В частности, компания приступила к поставкам чипов емкостью 8

19.04.2010 Samsung приступила к поставкам NAND-памяти нового поколения

Samsung Electronics приступила к поставкам 20-нм чипов NAND-памяти для использования в картах формата SD и непосредственно в потребительской электронике в качестве встроенного хранилища. Чипы выполнены по технологии многоуровневой структуры ячеек,

02.02.2010 NAND: освоен 25 нм процесс

Компании Intel, Micron и IM Flash Technologies (IMFT) объявили о создании модуля NAND-памяти с помощью технологического процесса 25 нм - самого передового из существующих в н

02.02.2010 Intel и Micron приступили к производству первой в мире 25-нм NAND-памяти

я Intel и компания Micron Technology объявили о запуске первой в мире 25-нм технологии производства NAND-памяти. На базе новой технологии были созданы микросхемы памяти емкостью 8 ГБ. Площадь о

12.08.2009 Intel и Micron разработали самую дешевую флэш-память

Компании Intel и Micron Technology объявили об успешной разработке NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, каждая ячейка которой способна запоминать

06.11.2008 Рынок флэш-памяти ждет исторический обвал

ема рынка — снижение потребительского спроса на электронику. По прогнозу iSuppli, выручка с продажи NAND-памяти сократится как по итогам этого года, так и в будущем году. В 2008 г. объем продаж

30.05.2008 Intel и Micron увеличили плотность записи данных

Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке первого в индустрии NAND-чипа с топографическим уровнем менее 40 нм. Созданная компаниями 34-нм микросхема памяти

11.02.2008 Sandisk представил новую технологию NAND флэш-памяти

Корпорация SanDisk сообщила о достижении нового рубежа в производстве флэш-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производится по стандартному 56-нм техпроцессу, при этом на выходе с одной пластины получается на 20% больше

07.02.2008 SanDisk и Toshiba перешли к 43-нм NAND-памяти

Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сообщила о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нм техпроце

01.02.2008 Новая NAND-память Micron в 5 раз быстрее

Компания Micron Technology первая среди других приступила к поставкам 8-гигабитных (1 ГБ) чипов NAND с высокой пропускной способностью. Новые чипы изготовлены с использованием одноуровневой

23.10.2007 Samsung представил 30-нм NAND-память

Как сообщает Associated Press, корпорация Samsung представила первый в мире модуль флэш-памяти NAND (объемом 64 гигабит), выполненный по 30-нм технологии. В настоящее время в серийном производстве аналогичных модулей используется 50-нм технология. Ожидается, что серийное производство мод

23.10.2007 Samsung увеличивает емкость флэш-памяти в четыре раза

жидается в 2009 г. 64-гигабитные чипы в упаковке В прошлом году компания анонсировала 32-гигабитные NAND-чипы, изготовленные по 50-нм техпроцессу. На сегодняшний день большая часть чипов Samsun

28.09.2007 Начал работать первый завод SanDisk по выпуску NAND-чипов

Первый завод SanDisk по выпуску и тестированию чипов NAND, расположенный в Шанхае, начал свою работу, сообщает DigiTimes. Завод SanDisk Semiconductor Shanghai (SDSS) включает все этапы сборки и тестирования – от получения подложек из Японии до вы

05.09.2007 В Японии открылась фабрика по производству NAND памяти

н на предприятии Toshiba Yokkaichi Operations, в префектуре Мие (Mie), Япония. Корпорация Toshiba начала строительство фабрики Fab 4 в августе 2006 года в ответ на быстрорастущий спрос на флэш-память NAND, которая используется во многих электронных устройствах, в том числе в цифровых медиа плеерах, мобильных телефонах, ПК и картах памяти. Начало промышленного производства на фабрике Fab 4 о

20.08.2007 Samsung выпустит NAND-памяти на 15% меньше обещанного

, что южнокорейская компания Samsung Electronics сможет выполнить только 85% заказов на флэш-память NAND-типа, осуществление которых было запланировано на вторую половину августа, сообщает Digi

16.08.2007 Samsung укрепил свою позицию на рынке NAND-памяти

Во II квартале 2007 г. корейская компания Samsung Electronics укрепила свою позицию на рынке флэш-памяти NAND, продав чипов на сумму около $1,4 млрд., на 18,9% больше по сравнению с $1,2 млрд., полученными в I квартале. Компания находится на первом месте по величине рыночной доли среди других прои

06.08.2007 Samsung: производство чипов восстановлено

тате временной остановки шести линий по производству чипов, на пяти из которых изготавливались чипы NAND-памяти, составят приблизительно $43,4 млн. По словам аналитиков iSuppli, компания могла

15.06.2007 Карманные гигабайты — выбираем USB flash drive

, несомненно, удобно в путешествиях. Стильно выглядит «кожаная» серия Prestigio Leather Flash Drive NAND Flash USB 2.0. Можно выбрать кожу разного цвета. В комплект входит карабин, который прев

13.03.2007 Самые емкие NAND-накопители

Как сообщает Samsung, компания начала отгрузку новых 8 Гбайтных NAND-чипов. В числе первых заказчиков значатся ведущие производители мобильных устройств, что отнюдь не удивительно. Кто знает, может мы дождемся 16 и более Гбайтных флеш-плееров уже

31.01.2007 Toshiba и SanDisk разработали сверхъемкую NAND-память

Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти NAND-типа с самой высокой плотностью записи емкостью 16 Гбит (2 ГБ) и 8 Гбит (1 ГБ), изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компа

25.01.2007 SanDisk займется выпуском 56-нанометровых чипов NAND

Компания SanDisk анонсировала планы по выпуску 56-нанометровых многоуровневых чипов флэш-памяти MLC NAND совместно с Toshiba на заводе Fab 3 в Японии. К весне 2007 г. SanDisk намерена поставлят

09.11.2006 Intel начинает поставки многоуровневых микросхем флэш-памяти NOR
16.10.2006 Fujitsu выпустил ноутбуки с NAND-памятью

имеют в своем составе флэш-память - диски SSD (solid state disk). Диски, выполненные по технологии NAND, обладают некоторыми преимуществами по сравнению с традиционными жесткими дисками. Во-пе

18.09.2006 Intel начинает поставки NOR-памяти
29.08.2006 Chaintech променял материнские платы на NAND

тво компании решило направить свои ресурсы на относительно новый для себя рынок - рынок флэш-памяти NAND, сообщает издание Dailytech. В настоящее время мировое производство NAND-чипов пр

04.08.2006 Toshiba и SanDisk приступили к строительству NAND-фабрики

isk объявили о начале строительства в Японии завода Fab 4 по выпуску 300-миллиметровых подложек для NAND-памяти. Инвестиции в новое производство с 2006 по 2008 годы составят свыше $2,5 млрд. Ры

26.07.2006 Micron и Intel освоили 50-нм техпроцесс в производстве NAND

Компании Micron Technology и Intel анонсировали первую в мире флэш-память NAND, выполненную по 50-нанометровой технологии. Устройство объемом 4 Гбит было изготовлено н

19.07.2006 Samsung начинает серийное производство 8-ГБ NAND-чипов

оваться в ряде портативных устройств, среди которых мобильные телефоны, камеры, плееры и т.п. Новые NAND-чипы появятся в продаже в 3 квартале 2006 года.

14.07.2006 SanDisk и Toshiba вложат $3 млрд в новый завод по производству NAND-чипов

дущим, позволит получать в два раза больше чипов. К выходу на полную мощность завод будет обрабатывать до 100000 подложек в месяц. Новое предприятие SanDisk-Toshiba будет выпускать модули флэш-памяти NAND, которая в последние годы обретает популярность и находит применение в таких устройствах, как сотовые телефоны и цифровые музыкальные плееры. По мнению некоторых аналитиков, новое производ

10.07.2006 NAND-память расширяет сферы влияния

Компания-аналитик рынка NAND-чипов IM Flash Technologies предполагает, что инвестиции в наноэлектронику и R&D в этой