Поделиться
Genitech разработала технологию сверхтонкого нанесения слоев на кремниевые пластины
Корейский производитель чипов Genitech Inc. объявил о разработанной технологии, которая, по словам экспертов, крайне необходима для производителей последующих поколений полупроводников.Компания подала патентную заявку в Корее, Японии США и Европейском Союзе на технологию плазменного напыления. Технология позволяет создавать 10-нм плёнку на поверхности кремниевой пластины, являющейся исходным материалом для создания транзисторов или интегральных микросхем. 10 нанометров - это всего лишь три диаметра атома.
Технология найдет применение при нанесении диоксид-титановой пленки при изготовлении чипов DRAM и нанесении сегнетоэлектрических пленок в процессе изготовления памяти FRAM (сегнетоэлектрической RAM).
Новая технология является разновидностью технологии atomic layer напыления атомарного слоя (ALD), существенно снижающей толщину нанесенной пленки, однако, существующие решения ALD имеют определенные ограничения, поскольку возникающие при его применении неоднородности не позволяют получить достаточное качество продукции и требуют большого времени на обработку пластин. При химической обработке пластин, компания, опираясь на существующую технологию ALD, воспользовалась свойствами высокоэнергетичной плазмы. С помощью плазменной обработки, инженеры Genitech добились нанесения тонкого, равномерного и качественного слоя пленки. Скорость обработки пластин также увеличена в полтора раза по сравнению с традиционной технологией ALD.
Эксперты уже заявили, что эта технология необходима для разработки 1-4 гигабитных чипов DRAM.
Genitech уже представила образцы своего оборудования производителям чипов, а полный набор оборудования будет продемонстрирован компанией на выставке Semicon Korea 2001, сообщил Korea Herald.
По данным Dataquest, потребность мирового рынка в технологическом оборудовании для процесса ALD в 2001 году составит до $500 млн.
Короткая ссылка
