Поделиться
Intel представила подложку с первыми рабочими 22-нм чипами
Президент и главный исполнительный директор корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) вчера, 22 сентября 2009 г., на конференции Intel Developer Forum, проходящей в Сан-Франциско, представил кремниевую подложку, содержащую первые в мире функционирующие чипы, изготовленные на базе 22-нм технологического процесса. С использованием 22-нм технологии были изготовлены тестовые ячейки памяти SRAM, а также логические цепи, которые будут использоваться в будущих микропроцессорах Intel.
Чипы, изготовленные Intel на базе 22-нм технологии, содержат по 364 миллиона битов SRAM-памяти и более 2,9 млрд транзисторов, размещенных на поверхности площадью величиною с ноготь. Ячейки SRAM, используемые в рабочих образцах чипа, отличаются рекордно малой площадью – всего 0,092 кв. микрона. Продемонстрированные чипы базируются на третьем поколении транзисторной технологии high-k с металлическими затворами, благодаря чему обеспечиваются улучшенная производительность и меньший ток утечки.
«Мы лишний раз доказали настоящую и будущую состоятельность Закона Мура, - заявил CEO Intel. – В данный момент мы приступаем к производству первых в мире 32-нм микропроцессоров, которые также являются первыми в мире высокопроизводительными процессорами с интегрированным в корпус чипа графическим контроллером».
CEO Intel Пол Отеллини показывает подложку с 22-нм чипами
Короткая ссылка
