Поделиться
Композитные микросхемы увеличивают долю на рынке
Рынок композитных полупроводниковых микросхем будет увеличиваться примерно на 22% в год вплоть до 2007 года, сообщила в своем отчете исследовательская компания IC Insights. При этом весь объем рынка микросхем за тот же период будет ежегодно расти только на 10%.Композитные микросхемы создаются на подложках из составных материалов, таких, как арсенид галлия (GaAs), кремний-германий (SiGe) и фосфид индия (InP). Эти материалы имеют ряд преимуществ перед традиционным кремнием: более высокую тактовую частоту, широкую полосу пропускания и меньшее энергопотребление. Наиболее распространен сейчас GaAs, подложки из которого занимают 87% рынка, но аналитики предсказывают рост использования SiGe, и к 2007 году 33% рынка будут принадлежать ему.
Одним из преимуществ соединения SiGe является его совместимость с существующими КМОП-технологиями. Другим, даже более важным, станет возможность объединить КМОП-технологии с низковольтными высокоплотными скоростными биполярными гетеротранзисторами, которые можно создавать на SiGe. Новая технология БиКМОП (BiCMOS) идеально подходит для высокоинтегрированных комбинированных (аналого-цифровых) микросхем, столь востребованных в телекоммуникационной отрасли.
Источник: по материалам сайта DigiTimes.
Короткая ссылка
