Поделиться
«Крокус Наноэлектроника» выполнила первый коммерческий заказ
Компания «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ), совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology, выполнила первый коммерческий заказ на обработку пластин, размещенный Crocus Technology в конце декабря 2013 г.
«В ноябре 2013 года на первой очереди производства КНЭ мы произвели несколько тестовых партий пластин с датчиками магнитного поля и с магниторезистивной памятью. Анализ результатов производства этих партий показал, что качество и надежность продукции КНЭ эквивалентны, а по некоторым параметрам превосходят образцы, полученные в лаборатории Crocus Technology в Гренобле на опытно-промышленном оборудовании. Этот факт позволил нам перевести первую очередь производства в промышленный режим и начать работу с коммерческими заказами», — отметил директор по технологии компании «Крокус Наноэлектроника» Дмитрий Чутов.
Как сообщили CNews в «Роснано», в течение текущего квартала КНЭ продолжит поставки пластин MRAM и датчиков магнитного поля, а затем будет постепенно вводить в эксплуатацию дополнительное оборудование и планирует выйти на расчетную производительность к концу 2014 г., также дополнив продуктовую линейку микросхемами для смарт-карт и продуктами на базе MLU.
MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации слоев ячеек памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т. е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы памяти Crocus Technology сочетают низкую стоимость и энергонезависимость с такими качествами, как низкое энергопотребление, высокая скорость и практически неограниченное число циклов записи.
MLU (magnetic logic unit, магнитная логическая ячейка) – инновационная архитектура ячейки памяти, разработанная Crocus Technology на основе принципа TAS-MRAM (магниторезистивной памяти произвольного доступа с термальным переключением).
Короткая ссылка
