Поделиться
Micron Technology представил первые модули DDR SDRAM 1 Гб, произведенные по 0,11-микронному процессу
23 декабря компания Micron Technology объявила о выпуске модуля синхронной DDR SDRAM памяти емкостью 1 Гб. Этот модуль, созданный с использованием 0,11-микронного процесса, является первым в промышленности - так утверждают представители компании.Толщина микросхемы составляет всего 0,4 мм, напряжение питания - 2,5 В. О том, куда был отправлен первый демонстрационный модуль, в компании сообщить отказались.
"Мы остаемся лидерами в производстве DDR SDRAM, - заявил Терри Ли (Terry Lee), исполнительный директор подразделения технологий и стратегического маркетинга, - наши клиенты раньше других узнают о новинках, а новые технологии следует внедрять как можно быстрее". Также стало известно, что новая память будет использоваться в 4 Гб DIMM-модулях, предназначенных для работы в серверных системах.
"Мы планируем перевести на 0,11-микронный процесс большинство производства, - добавил Терри Ли (Terry Lee), - благодаря этому мы сможем значительно повысить эффективность и одновременно уменьшить стоимость продукции".
Источник: по материалам сайта eeTimes.
Короткая ссылка
