Разделы

Nichia Chemical разработала полупроводниковый фиолетовый лазер мощностью 30 мВт в непрерывном режиме

Японская компания Nichia Chemical Industries Ltd. сообщила сегодня о разработке полупроводникового GaN-лазера, излучающего в фиолетовом диапазоне на длине волны 405 нм. Мощность лазера в непрерывном режиме - 30 мВт, в импульсном - до 100 мВт, при продолжительности импульса менее 1 мкс. Лазер рассчитан на несколько тысяч часов работы. Пороговый ток 40 мА, ток в рабочем режиме 70 мА. Увеличенная мощность лазера и длительность эксплуатации была достигнута за счет улучшения технологии выращивания кристаллов и сокращения числа кристаллических дефектов. В июле начнутся поставки лазерных устройств для медицинских и промышленных применений, где используются периодически-импульсные режимы работы.