Разделы

Новый полупроводниковый материал позволит увеличить эффективность использования солнечной энергии до 40%

Ученые из Sandia National Laboratories создали новый полупроводниковый материал - нитридо-арсенид индия и галлия (InGaAsN), который предназначен для фотоэлектрического преобразования световой энергии и сможет быть использован в спутниках связи и для лазеров в волоконной оптике. Оказалось, что добавка 1-2% азота в арсенид галлия, обычный полупроводниковый материал, существенно изменяет оптические и электрические свойства материала. Ширина запрещенной энергетической зоны в полупроводнике при этом сокращается почти на треть. На основе нового материала можно создать батареи солнечных элементов, у которых к.п.д. (эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую) будет достигать 40%, в то время как обычные кремниевые фотоэлементы дают вдвое меньшую эффективность.