Разделы

Цифровизация ИТ в госсекторе Электроника

Предприятие «Росэлектроники» разработало первую в России технологию производства монокристаллов карбида кремния

Впервые российским предприятием «Светлана» (входит в холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех) разработана промышленная технология производства монокристаллов и подложек полуизолирующих карбида кремния для создания сверхвысокочастотной электронной компонентной базы. Качество подложек не уступает лучшим зарубежным аналогам, говорят представители «Росэлектроники».

Данные подложки могут быть использованы в том числе для создания пленок графена, которые считаются наиболее перспективным материалом в качестве основы компонентной базы будущей микроэлектроники и возможной заменой кремния в интегральных микросхемах. Сравнение параметров разработанных подложек с параметрами американских аналогов показывает, что продукция «Светланы» находится на мировом уровне, например, американского аналога Grade M (для военных применений) и существенно превышают параметры Grade R&D (для исследовательских целей).

Объем финансирования разработок составил i285 млн, в том числе i190 млн – за счет федерального бюджета, i95 млн – из собственных средств.

Топ-7 внедрений российского ПО. Рейтинг CNews Analytics
CNEWS ANALYTICS

«Для успешного развития отечественной технологии производства карбида необходима поддержка и взаимодействие потенциальных потребителей и партнеров. Развитие производства подложек карбида кремния станет весомым вкладом холдинга в обеспечение технологической и стратегической независимости России», – отметил заместитель генерального директора «Росэлектроники» Арсений Брыкин.

В настоящее время компания «Светлана» готово начать поставки подложек полуизолирующих карбида кремния политипа 6Н диаметром 3 дюйма для российских потребителей, при этом цены подложек существенно ниже, чем у других производителей. Основными потребителями разработанных подложек будут предприятия и организации-производители гетероструктур: «Светлана-Рост», «Элма-Малахит», ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Сибирское отделение РАН и др.

Михаил Иванов