|
Поделиться
Поделиться
Samsung планирует начать выпуск 1-гигабитной продукции в 2002 году, используя новую 193-нм литографию
Компания Samsung Electronics Co. Ltd. сообщила о намерении перейти в 2002 году к выпуску 1-гигабитных чипов DRAM, используя новую 193-нм литографию, а также новый фоторезистивный материал, разработанный в сотрудничестве с Shipley Co. (Массачусетс, США).Согласно сообщению представителей Samsung, новый материал - первый серийно выпускаемый для аргонно-флуоридной (ArF)литографии. Представители Samsung также заявили, что новый фотоматериал позволит выпускать 1-гигабитные чипы памяти с использованием 0,09-микронного техпроцесса, а в перспективе - и 0,07 мкм техпроцесса.
Короткая ссылка
