Создан самый быстрый полевой нанотранзистор
Исследователями из Гарвардского университета создан самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун, сообщает Nanotechweb. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра и кремниевых нанострун. По мнению экспертов, это самый совершенный полевой транзистор, который
«Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 34 раза, чем современные кремниевые CMOS, комментирует открытие доктор Чарльз Либер (Charles Lieber). Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт
Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная
#gallery# |