Поделиться
Toshiba и SanDisk объединяются в производстве 0,09-микронной памяти
Расширяя свое трехлетнее сотрудничество, Toshiba и SanDisk сообщили о том, что они будут разрабатывать флэш-память на основе 90-нанометрового технологического процесса. Компании планируют выпустить образец 4-гигабайтного чипа типа NAND с многоуровневыми заминающими ячейками во второй половине 2003 года, а промышленный выпуск подобных схем намечен на первый квартал 2004 года.Бинарный 2-гигабайтный флэш-чип, в котором запоминается 1 бит в одной ячейке, будет выпущен приблизительно в те же сроки. Разработчики обеих компаний будут работать в лаборатории штаб-квартиры корпорации Toshiba.
По соглашению, заключенному в 1999 году, компании имеют кросс-лицензии как на флэш-технологию NAND-структуры каналов от Toshiba, так и на многоуровневые флэш-ячейки от SanDisk. В ноябре прошлого года компании выпустили 1-гигабайтные модули, созданные по 0,16-микронной технологии и использующие многоуровневые ячейки. В этом сентябре появились 1-гигабайтные бинарные модули, созданные по 0,13-микронной технологии. По словам представителей компаний, переход на 0,09-микронный технологический процесс повысит их конкурентоспособность на рынке. Промышленный выпуск новых модулей будет осуществляться на совместном предприятии Flash Vision LLC в японской Иоккайти.
Это не единственный производственный союз у корпорации SanDisk. В августе прошлого года компания заключила кросс-лицензионное соглашение с Samsung Electronics относительно карт флэш-памяти. Согласно этому договору, Samsung в течение 7 лет будет поставлять SanDisk устройства с мультиуровневой флэш-памятью.
Источник: по материалам сайта EE Times.
Короткая ссылка
