Поделиться
Ученые разработали модуль памяти нового поколения
Международная группа ученых совершила прорыв в области разработок модулей памяти нового поколения, имеющих лучшие показатели по сравнению с образцами, производимыми сегодня по
Группа исследователей при содействии Korea Advanced Institute of Science и
профессора технических наук Кима
Обычный метод производства модулей памяти класса
По словам профессора, теоретически с помощью новой технологии можно создать полупроводник размером 10 нм.
В настоящее время Корея в лице таких компаний как Samsung Electronics и Hynix Semiconductors вырвалась вперед в соперничестве по созданию микропроцессоров со сверхмалыми схемами.
В прошлом году Samsung удивил мир модулем памяти flash memory, основанным на схемах с минимальным размером в 60 нм.
По словам ученых, не исключено сотрудничество с Samsung в разработке модулей памяти на основе схем толщиной менее 50 нм.
Новая технология уже запатентована на международном уровне. Информация об открытии корейских ученых будет опубликована в следующем выпуске американского журнала Science.
Короткая ссылка
