Samsung готова к производству чипов в топологии 8 нм
Samsung освоила техпроцесс 8 нм, что поможет ей продолжить конкуренцию с тайваньской TSMC и сохранить партнерство с Qualcomm. В 2018 г. предполагается перейти на 7 нм процесс. Хотя TSMC уже в состоянии предложить 7 нм, Qualcomm может предпочесть 8 нм решение Samsung как более дешевое.
Техпроцесс 8 нм
Компания Samsung Electronics завершила освоение техпроцесса 8 нм, что даст ей возможность создавать на 10% более энергоэффективные и на 10% более компактные чипы, чем по 10 нм техпроцессу. Новая разработка получила название 8LPP (Low Power Plus), она базируется непосредственно на предыдущем процессе 10LPP, который хорошо себя показал и дал возможность нарастить объемы производства. Компания сообщает, что 8LPP — это шаг на пути к внедрению техпроцесса 7 нм, которое запланировано на 2018 г.
Конкуренция с TSMC
Примечательно, что конкурирующий тайваньский производитель TSMC опережает Samsung в 7 нм гонке — он уже готов работать по этой технологии. Однако Samsung уверяет, что впервые используемая ею техника ультрафиолетовой литографии (EUV) обеспечит ее чипам преимущество в цене и в качестве.
Чтобы получить дополнительное преимущество в конкуренции с TSMC, Samsung в мае провела реорганизацию подразделения System LSI, которое занимается разработкой и производством микросхем. Разработка и производство были выделены в независимые друг от друга структуры.
Сотрудничество с Qualcomm
Samsung подчеркнула, что намерена продолжать работать совместно с Qualcomm над производством процессоров Snapdragon, как это было при использовании техпроцесса 10 нм и 14 нм. Это опровергает циркулирующую на рынке информацию, что Qualcomm успела договориться с TSMC о совместном изготовлении Snapdragon в 2018 г., пишет ресурс ZDNet.
Теперь уже более вероятно, что Qualcomm предпочтет воспользоваться 8 нм решениями Samsung, поскольку это дешевле, чем прибегать к процессу 7 нм, а итоговая разница в производительности и энергоэффективности не очень существенна для пользователя.
Техпроцесс 10 нм
Ранее CNews писал, что в октябре 2016 г. Samsung Electronics приступила к массовому производству 10 нм чипов с использованием технологии FinFET. Согласно сообщению компании, это были первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм. Samsung должна была стать единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса.
Новые 10 нм чипы получились на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизилось на 40%. Также на одной полупроводниковой плате стало можно разместить на 30% больше чипов.
Компания сообщила, что в производстве 10 нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.