Поделиться
Samsung выпустила «самую быструю» оперативную память для смартфонов и ноутбуков
Samsung совместной с Qualcomm провела валидацию оперативной памяти стандарта LPDDR5X собственного производства. Микросхемы продемонстрировали пропускную способность на уровне 8,5 Гбит/сек на контакт. Ранее южнокорейской компании удавалось получить скорость не более 7,5 Гбит/сек. Вероятно, сверхбыстрые модули появятся во флагманских смартфонах и планшетах на базе чипа Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 в 2023 г.Samsung «разгоняет» память
Южнокорейская Samsung Electronics представила улучшенные микросхемы оперативной памяти стандарта Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X). В компании утверждают, что ее последняя энергоэффективная DRAM является «самой быстрой в отрасли».
Согласно информации, опубликованной на официальном сайте Samsung, пропускная способность новейших чипов достигает 8,5 Гбит/сек на контакт.
Предыдущий рекорд пропускной способности чипов LPDDR5X на уровне 7,5 Гбит/сек Samsung установила в марте 2022 г.
Такого прогресса удалось достигнуть за счет «оптимизации высокоскоростной сигнальной среды между процессором и памятью» на мобильной платформе Snapdragon компании Qualcomm. В Samsung отмечают, что сотрудничество с последней позволило сократить время вывода на рынок чипов LPDDR5X более чем на один год. Как отмечает Sammobile, микросхемы, могут появиться в флагманских смартфонах и планшетных компьютеров модельного ряда 2023 г. в паре с процессором Snapdragon 8 Gen 2.
Помимо мобильной электроники, новые чипы LPDDR5X могут найти применение в компактных ноутбуках, в высокопроизводительных вычислительных (HPC) системах, серверах и автомобильной промышленности.
Как отмечают в Samsung, отличающаяся пониженным уровнем энергопотребления память стандарта LPDDR все чаще находит применение в цифровых решениях для современных транспортных средств. Свойственные ей высокие энергоэффективность и производительность востребованы в системах автономного вождения, которые в процессе работы собирают колоссальный объем информации с разного рода датчиков.
LPDDR5X против предшественника
Samsung впервые представила микросхемы памяти стандарта LPDDR5X в ноябре 2021 г.
Южнокорейский гигант тогда продемонстрировал 16-гигабитные чипы, производить которые планировалось по 14-нанометровому техпроцессу с использованием технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).
Начало серийного производства было намечено на конец 2021 г.
Переход на более совершенный техпроцесс позволил добиться снижения уровня энергопотребления памяти LPDDR5X на 20% по сравнению с предшественником в лице LPDDR5. Пропускная способность также выросла – до 1,3 раза.
Массовое производство памяти LPDDR5 стартовало не позднее июля 2019 г. Так, о запуске конвейера по выпуску 12-гигабитных чипов Samsung сообщила 19 июля 2019 г.
Затем, 7 февраля 2020 г., американская компания Micron объявила о начале поставки клиентам «первой в мире» памяти LPDDR5 в упаковках объемом 6 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ.
25 февраля 2020 г. уже Samsung сообщила о готовности к массовому производству модулей LPDDR5 емкостью 16 ГБ.
Производители смартфонов взялись интегрировать память LPDDR5 лишь в 2021 г. Причем воспользоваться преимуществом быстрого ОЗУ могли в основном обладатели флагманских моделей, например, Samsung Galaxy S21 Ultra.
Короткая ссылка
