IBM и Hitachi объединились для разработки 32-нм чипов
Компании IBM и Hitachi объявили о начале сотрудничества в области полупроводников. Новый союз будет направлен на разработку 32-нм и, возможно, 22-нм технологических процессов. Аналогичные разработки уже ведут Intel, AMD, Sony, Toshiba и другие компании. Начало массового производства 32-нм чипов ожидается к 2010 г, 22-нм - в последующие 5 лет.Компании IBM и Hitachi заключили соглашение о совместной разработке новых технологий по производству микросхем с целью ускорить развитие полупроводниковой отрасли.
Совместная деятельность, которая продлится в течение двух лет, затронет разработку 32-нм технологии. Компании совместно планируют создать новые методы анализа и измерения характеристик полупроводниковых чипов для того, чтобы уменьшить размеры и улучшить характеристики транзисторов, а также лучше понять физику протекающих в них процессов. Инженеры обеих компаний, а также сотрудники филиала Hitachi, Hitachi
IBM и Hitachi впервые будут сотрудничать в области чипов. До этого их совместная деятельность касалась серверов и других корпоративных продуктов. Компании также планируют рассмотреть возможность разработки транзисторов с топологическим уровнем 22 нм.
По словам
Напомним, что в конце 2007 г. IBM уже объявляла о формировании другого альянса IBM Common Platform. В него вошли компании AMD, Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, Sony, Toshiba и STMicroelectronics. Цель альянса также разработка чипов с использованием 32-нм технологического процесса.
IBM вступила в альянс с Hitachi с целью создать 32-нм технологический процесс изготовления чипов
Современные чипы изготавливаются на базе 45-нм технологии. В частности, компания Intel уже выпустила процессоры с данной технологической нормой. AMD будет готова к выпуску аналогичных микросхем во II половине 2008 г.
К массовому производству 32-нм процессоров, как ожидается, Intel будет готова к 2010 г., а 22-нм к 2011 г. В AMD более осторожны с прогнозами. Недавно чипмейкер совместно с IBM изготовил образец микросхемы, в которой первый слой металлических соединений целиком создан с помощью