SRAM Static Random Access Memory Статическая память с произвольным доступом

и AMD разработали элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory – SRAM), площадь которого составляет всего 0,128 кв. мкм. Новый элемент более чем на 50% меньше

Компания IBM в содружестве с AMD, Freescale, STMicroelecronics и Toshiba разработала первую в мире статическую память со случайным доступом (SRAM) на базе 22-нм технологического процесса. Микросхемы были выпущены на стандартной подложке диаметром 300 мм в исследовательской лаборатории IBM в Албани, штат Нью-Йорк. Ячейки памяти имеют

ия этого эффекта работают также Toshiba, Innovative Silicon и  Renesas. Однако, в отличие от них, Intel намерена использовать эту технологию в качестве кэш-памяти для своих будущих процессоров вместо SRAM, которая имеет недостаточную по сегодняшним меркам плотность. В то же время, альтернативная ей технология eDRAM хоть и имеет большую плотность, отличается более низкой скоростью работы, да

Корпорация Renesas Technology объявила о создании первой в индустрии SRAM памяти практически на допускающей случайных сбоев. Память была названа superSRAM, Она представляет собой комбинацию ячеек SRAM с низким энергопотреблением и технологии накопителей D

Исследовательская компания iSuppli опубликовала отчет о рынке памяти SRAM в первом квартале. Основной вывод - различная динамика на рынках телекоммуникационного и компьютерного оборудования привела к тому, что поставщики рынка телекома заработали на памяти значи

Samsung Electronics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометровые техпроцессы и работает на 1,5 Гб/сек при потребляемом напряжении 1,2 В. Создание ячейки размером мен

Samsung Electronics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометровые техпроцессы и работает на 1,5 Гб/сек при потребляемом напряжении 1,2 В. Создание ячейки размером мен

При возросшем спросе на флэш-память, SRAM и DDR SDRAM компания Samsung Electronics решила перевести 6 и 7 производственные линии DRAM на производство флэш-памяти, SRAM и систем LSI. Samsung планирует потратить $180 млн. на

Корейская компания Samsung Electronics Co., Ltd. сообщила о разработке высокоскоростной микросхемы памяти SRAM с низким энергопотреблением. Чип может быть использован для устройств с мобильной связью. По словам компании, новый 16-мегабитный модуль памяти SRAM имеет время доступа 25 наносекун

огии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках. Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм2 (меньше, чем у десятицентовой монеты). Новые 52-мегабитные микросхемы памяти

огии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках. Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм2 (меньше, чем у десятицентовой монеты). Новые 52-мегабитные микросхемы памяти

Исследователям из корпорации Intel удалось создать самую маленькую в мире ячейку памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory, или статическое запоминающее устройство с произвольной выб

Компании MoSys, Inc. и VIA Technologies, Inc. объявили о том, что VIA лицензировала разработанную MoSys технологию памяти 1T-SRAM для реализации сверхвысокопроизводительной SRAM в своих перспективных интегральных микросхемах. Патентованная технология 1T-SRAM компании MoSys обеспечивает сочетание высокой

Компания Cypress Semiconductor Corp. заявила о начале использования лазерного оборудования фирмы LaserLink Technology LLC для производства интегральных микросхем, в том числе для чипов памяти SRAM. Оборудование от LaserLink Technology LLC может быть использовано как для формирования межэлементных связей в CMOS структурах чипов, так и для изменения самих этих структур при создании сп

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства 8 Mбит чипов памяти SRAM. Главными потребителями чипов, по словам представителей Samsung Electronics, станут компании Motorola, Nokia и Ericsson - производители мобильных телефонов стандарта IMT-2000 третьего поко

Компания Micron Technology, Inc. представила работоспособные образцы памяти типа Quad Data Rate (QDR) SRAM. Устройства представляют собой модули емкостью 8 Мбит, организованные в порядке 512К х 18 и работающие на частоте как минимум 333 МГц. QDR SRAM является новой архитектурой для высок

Компания Cypress Semiconductor представила новый 0,15-микронный RAM7 процесс для выпуска микросхем памяти SRAM. По словам Cypress, новая технология позволяет получать самые маленькие в индустрии кристаллы 8Мбит SRAM. Одна ячейка такой памяти занимает площадь 2,9 кв. микрона, а кристалл целик

Компания IBM сообщила о своей новейшей разработке - чипе памяти SRAM (static random access memory), который может работать на тактовой частоте более 2 ГГц. Н

Тайваньская United Microelectronics Corp. (UMC) представила новый чип SRAM, выполненный по "медной" технологии. Чип имеет ёмкость 2 Мбит и выполнен по 0,13 микронной технологии Worldlogic, обеспечивающей полностью медные межсоединения. Опытное производство таких

Etron Technology Inc. разработала микросхему 8 Мбит LP SRAM (low power SRAM), которая базируется на 0,15 микронной технологии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Для нормальной работы новым чипам требуется напряжение питания 1,5-

Компания Hyundai Electronics начала выпуск новой серии 4МБ чипов SRAM для использования в портативных "карманных" устройствах. Новые чипы, выполнены по 0,25 микронной технологии и имеют малые размеры. Выпускаются чипы на напряжение питания 1,8; 2,5 и 3,0 В.