Электроника FinFET A fin field-effect transistor 3D transistors направление в проектировании микросхем 3D транзисторы

Samsung Electronics объявила о начале производства процессоров Exynos 9 серии 8895. Как рассказали CNews в компании, это первое процессорное решение от Samsung на базе техпроцесса FinFET 10 нм с усовершенствованной трехмерной транзисторной структурой, использование которого позволяет на 27% повысить производительность при 40% экономии энергии по сравнению с техпроцессом

вейшего процессора в серии Snapdragon — Qualcomm Snapdragon 835 — на базе техпроцесса Samsung 10-нм FinFET, сообщили CNews в Samsung Electronics. «Мы рады продолжить совместную с Samsung разраб

а о начале массового производства однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET. Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-

Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства Exynos 7 Dual 7270. Процессор на создан по техпроцессу 14-нм FinFET специально для использования в носимых устройствах. Новинка предлагает полный набор инструментов для беспроводных соединений и интегрированный LTE-модем, сообщили CNews в Samsung. «Exyno

технологического процесса LPP (Low-Power Plus). Это второе поколение 14-нм технологии изготовления FinFET-транзисторов, сообщили CNews в Samsung. Еще в первом квартале 2015 г. компания объявил

awei продемонстрировала первый в мире сетевой процессор Nova на базе архитектуры ARM64 и технологии FinFET 16 нм, который будет представлен на Всемирном мобильном конгрессе (Mobile World Congre

лучшает возможности контроля за зарядом, сохраняющемся в ячейке. Новое устройство получило название FinFET (Fin Field Effect Transistor). В ячейке памяти информация сохраняется зарядами электро