13 Декабря 2007 13:12 13 Дек 2007 13:12 |

Поделиться

Toshiba готовит революционную память

Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса. Технология была анонсирована вчера, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США.

Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками. Функционирование осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.

Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные уровни (слои). Иными словами, разработка Toshiba позволит изготавливать более маленькие чипы памяти, либо чипы, которые будут вмещать в 6,25 раз больше информации.

Современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит

Как подготовить ИТ-архитектуру к внедрению ИИ

цифровизация

Помимо уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, что позволило существенно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с использованием нового материала могут работать без сбоев более 10 лет.

Напоследок стоит отметить другой важный прорыв, совершенный недавно корейской Samsung. В октябре компания заявила о четырехкратном увеличении емкости современных NAND-чипов. Представленная Samsung технология хранит биты данных в многоуровневых ячейках и задействует 30-нм техпроцесс. Таким образом, прорыв Toshiba — использующий техпроцесс втрое меньше — открывает более интересные перспективы.

Сергей Попсулин

Поделиться

Подписаться на новости Короткая ссылка