National Scientific получила патент на новую технологию изготовления памяти - TunnelMOS

National Scientific Corp. сообщила о получении патента на высокоскоростную память, более быструю и компактную, чем традиционная CMOS RAM. В процессе изготовления памяти TunnelMOS применяется на два этапа больше, чем при изготовлении традиционной. Разница технологий э в использовании полевых транзисторов с N-каналом, которые меньше и производительнее, чем транзисторы с P-каналом. Тем не менее, для выпуска TunnelMOS можно применять то же оборудование, что и для производства обычной памяти. Доступ к данным у новой памяти быстрее на 30% при чтении и на 50% при записи. Общее потребление энергии уменьшено у образцов нового типа на 45%.