Micron представила образцы памяти QDR SRAM

Компания Micron Technology, Inc. представила работоспособные образцы памяти типа Quad Data Rate (QDR) SRAM. Устройства представляют собой модули емкостью 8 Мбит, организованные в порядке 512К х 18 и работающие на частоте как минимум 333 МГц. QDR SRAM является новой архитектурой для высокоскоростных коммуникационных устройств, в первую очередь сетевых коммутаторов и маршрутизаторов, работающих на частоте более 200 МГц. Модули памяти будут выпускаться совместно с компаниями Cypress Semiconductor Corp. и IDT, Inc. Кампании поставили цель добиться в ближайшее время емкости модулей в 128 Мбит, а также пришли к общему соглашению по применению эргономичного корпуса fBGA размером 13 x 15 мм.