Поделиться
Samsung начала серийное производство памяти 4 ГБ DRAM на базе новейшего интерфейса High Bandwidth Memory
Компания Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства пакета 4 ГБ DRAM на базе интерфейса High Bandwidth Memory 2-го поколения (HBM2), который предназначен для высокопроизводительных вычислений (ВПВ), расширенных графических и сетевых систем, а также для корпоративных серверов. Как сообщили CNews в Samsung, новое решение HBM будет обеспечивать высокую производительность DRAM — более чем в 7 раз выше по сравнению с текущей производительностью памяти DRAM, что обеспечит более быстрый отклик для высокопроизводительных вычислительных задач, включая параллельные вычисления, обработку графики и машинное самообучение.
«Благодаря серийному производству памяти нового поколения HBM2 DRAM мы можем намного активнее способствовать быстрому внедрению систем ВПВ нового поколения в международных ИТ-компаниях, — заявил Севон Чжун, старший вице-президент подразделения маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Кроме того, благодаря использованию своей технологии памяти 3D мы можем более эффективно предугадывать многосторонние потребности международного ИТ-сообщества, в то же время, закладывая основу для будущего роста рынка памяти DRAM».
По утверждению представителей компании, новая память 4 ГБ HBM2 DRAM на основе технологического процесса 20-нм и современной конструкции чипа HBM от Samsung позволяет удовлетворить потребности в области высокой производительности, энергоэффективности, надежности и компактных размеров, что дает возможность использовать эту память в системах ВПВ и графических адаптерах нового поколения.
После выпуска компанией памяти 128 ГБ 3D TSV DDR4 RDIMM в октябре прошлого года новая память HBM2 DRAM станет очередным этапом развития технологии TSV DRAM, считают в Samsung.
Пакет 4 ГБ HBM2 создается путем объединения буферного кристалла внизу и четырех базовых 8-гигабитных (Гб) кристаллов сверху. Затем они соединяются между собой вертикально с помощью отверстий и микровыступов TSV. Один кристалл 8 Гб HMB2 включает более чем 5 тыс. отверстий TSV, что более чем в 36 раз превосходит показатели кристалла 8 Гб TSV DDR4 — это позволяет значительно повысить скорость передачи данных по сравнению с типичными пакетами на основе проводного монтажа, пояснили в компании.
Новый пакет DRAM обеспечивает полосу пропускания 256 Гбит/с, что, по данным Samsung, в два раза превосходит аналогичный показатель пакета HBM1 DRAM. Это более чем в 7 раз больше полосы пропускания 36 Гбит/с для чипа 4 Гб GDDR5 DRAM, который обеспечивает максимальную скорость передачи данных на контакт (9 Гбит/с) среди чипов DRAM, выпускаемых на данный момент, указали в компании. Память 4 ГБ HBM2 от Samsung также демонстрирует оптимизированную энергоэффективность, увеличив вдвое полосу пропускания на ватт по сравнению с решением на основе 4 Гб GDDR5. Также эта память поддерживает функцию ECC (код коррекции ошибок).
Кроме того, компания планирует выпустить пакет 8 ГБ HBM2 DRAM в течение этого года. Благодаря применению памяти 8 ГБ HBM2 DRAM в графических адаптерах конструкторы, по оценкам Samsung, смогут сэкономить место более чем на 95% по сравнению с памятью GDDR5 DRAM: это позволит разрабатывать оптимальные решения для компактных устройств, которые должны поддерживать графические вычисления высокого уровня.
Компания будет постоянно увеличивать объемы выпуска памяти HBM2 DRAM в течение остального года, чтобы удовлетворить ожидаемый рост спроса на рынке сетевых систем и серверов. Samsung также намерена расширять свою линейку решений HBM2 DRAM.
Короткая ссылка
