Разделы

Цифровизация Инфраструктура

Samsung запустил 4 ГБ NAND в массовое производство

Samsung Electronics объявил о начале массового производства флэш-памяти NAND объемом в 4 Гб по 70-нанометровой технологии, а также об одновременном запуске линии по производству 300-миллиметровых плат.

Модуль NAND емкостью 4 ГБ имеет самую высокую плотность на сегодняшний день, благодаря использованию однослойных флэш-чипов (single level cells, SLC) размером в 0,025 кв. мкм.

Также Samsung запустил производственную линию по выпуску 300-миллиметровых плат, предназначенных специально для флэш-памяти, на которой изначально выпускалась флэш-память 2 ГБ по 90-нанометровой технологии.

Денис Кучаев, EvaTeam: Мы сделали возможным тотальный отказ от Jira
цифровизация

По словам представителей компании 300-миллиметровые платы, из которых вырезаются чипы и схемы, в 2,25 раз продуктивнее предыдущих 200-миллиметровых плат, а 70-нанометровая технология превосходит 90-нанометровую на 65%.

Память NAND наиболее популярна в качестве запоминающего устройства для мобильных телефонов, МР3-плееров, цифровых камер, карт памяти, памяти USB и игровых систем. В этом году ожидаемый объем продаж составит $8 млрд., а к 2008 г. он возрастет до $13 млрд. Согласно Dataquest, Samsung Electronics контролировал 44,4% рынка NAND flash в 2002 г. и 54% в  прошлом году.