11 Апреля 2006 12:04 11 Апр 2006 12:04 |

Поделиться

Память прорывается в третье измерение

Компания BeSang разрабатывает ядро памяти и ее структурную архитектуру для реализации 3D-чипа. Сам чип будет представлять собой интегрированную кремниевую микросхему, на которой будут последовательно наращиваться слои чипа, сообщает EETimes. У компании уже есть успешные разработки в области архитектуры наноустройств. «Наша инновация состоит в новой технологии „плавающей памяти“, позволяющей производить доступ к „ядру“ памяти с очень высокой плотностью записи данных», — говорит Кеннет Ли, бизнес-директор компании.

Пока все разработанные на сегодняшний день трехмерные чипы памяти характеризуются низкой плотностью данных и средним быстродействием. Как правило, их применение не выходит за пределы области мобильной электроники.

Еще одно преимущество архитектуры 3D-чипа от BeSang — ее многослойность. Причем логических взаимосвязей между слоями может быть практически любое количество — соответственно, память можно наращивать «вверх» практически неограниченно, что, естественно, существенно увеличивает количество информации, которую можно хранить на чипе.

На международном симпозиуме в области нанотехнологий, который состоялся 25 марта 2005 года, Стэн Уильямс, глава отдела НР в области квантовых исследований, отметил, что трехмерная архитектура будет одним из основных направлений квантовой наноэлектроники. «Мы уверены, что благодаря новому подходу в области микроэлектроники и нанотехнологиям технологии производства компьютерных чипов переместятся ниже по размерной шкале — до отдельных молекул. Это позволит отказаться от традиционной кремниевой микроэлектроники и начать освоение молекулярной наноэлектроники, — сказал г-н Уильямс. — Переход к молекулярной электронике состоится благодаря развитию трех направлений: фундаментальных исследований в области квантовой физики в наноразмерном диапазоне, построению архитектуры чипов нового типа, позволяющей более эффективно использовать возможности наноэлектроники, и, конечно, методам дешевого массового производства наноэлектронных компонентов».

Такие заявления и прогнозы компании HP связаны с новой архитектурой построения компьютеров. Она основана на новых молекулярных ключах, представляющих собой пересекающиеся линии, между которыми при подаче на них напряжения возникают проводящие мостики. Преимущество нового ключа состоит в том, что благодаря конструкции устройства емкость памяти на его основе будет выше той, которая существует сейчас. Если же использовать каждый ключ в качестве элемента памяти, то емкость одного слоя составит 2,5 Гб на квадратный сантиметр, в то время как лучшие из существующих чипов памяти характеризуются емкостью в 1 Гб на квадратный сантиметр.

Разработчик российской ОС подвел итоги года

Бизнес

Как утверждают специалисты компании, «узловая» архитектура, сформированная пересекающимися нанопроводниками, позволит упростить массовое производство чипов. Как ни странно, новые чипы будут дешевле обычных кремниевых благодаря большим объемам производства.

В недалеком будущем эти две архитектуры могут быть совмещены для создания не только 3D-чипов памяти, но и процессоров и других наноэлектронных устройств.

Для начала компания планирует создать основной структурный логический элемент чипа, состоящий из слоев SOI-структур, соединенных между собой проводниками. Организовать серийное производство таких чипов достаточно просто — эта технология используется в микроэлектронике уже давно.

Поделиться

Подписаться на новости Короткая ссылка