|
Поделиться
Поделиться
Samsung разработал модуль 1 Гбит mobile DRAM
Корейская компания Samsung объявила о разработке модуля памяти 1 Гбит mobile DRAM, построенного на базе 80-нанометровой технологии. Массовое производство новых моделей запланировано на 2 квартал 2007 года.Чип будет более эффективен по затратам, чем другие мобильные решения. Модуль можно использовать в различных устройствах, в том числе цифровых камерах, портативных медийных плеерах и игровых продуктах.
Цельный модуль 1 Гбит окажется выгоднее, чем сдвоенные модули 1 Гбит. Энергопотребление в новых чипах меньше по сравнению с существующими вариантами. Хотя в модуле 1 Гбит mobile DRAM от Samsung использована та же технология, что и в сдвоенном модуле по 512 Мбит, снижение расхода энергии составит 30%.
Как заявляют представители Samsung, новый чип на 20% тоньше, чем мультистековый модуль.
Короткая ссылка
