NAND flash memory флеш-память

этом руководство компании предупредил возглавляющий его Тэ Мун Ро (TM Roh), пишет южнокорейское издание Money Today. Причина – высокая цена микросхем памяти LPDDR5X и накопителей на базе флеш-памяти NAND. Если раньше основной вклад в себестоимость смартфона вносили процессор и дисплей, то в нынешних реалиях на этот показатель все в большей степени начинают влиять именно DRAM и NAND.

okyo Electron, Shin-Etsu Chemical и Silicon United Manufacturing (SUMCO), это может усилить дефицит NAND-памяти и чипов, пишет TrendForce. Руководители предприятий приостанавливали работу завод

одства Сильное землетрясение в Японии нарушило работу предприятий Kioxia, это может усилить дефицит NAND-памяти, пишет TrendForce. Часть оборудования на фабрике автоматически остановилась после

Дефицит длиной в 10 лет Грядет дефицит флеш-памяти NAND, который обязан буму искусственного интеллекта, он может растянуться на десятилетие. Так

крупномасштабного производства нового типа памяти – UltraRAM, пишет Tom’s Hardware. Она сочетает в себе скорость работы на уровне оперативной памяти DRAM и принцип функционирования как у флэш-памяти NAND, которую потенциально может заменить. UltraRAM – это разработка британской компании Quinas Technology. По словам авторов технологии, UltraRAM имеет в 4000 большую долговечность в сравнении

Найден новый виновный Доходы отрасли флэш-памяти NAND находятся на волне роста благодаря спросу на твердотельные накопители (SSD) для использо

amsung поднимает цены на флеш-память Корпорация Samsung повысила контрактные цены на флеш-память 3D NAND собственного производства в первой половине декабря 2022 г. вслед за включением ее прямо

овом рынке модулей флеш-памяти в краткосрочной перспективе ожидается резкое падение цен. Микросхемы NAND, используемые в SSD, USB-драйвах, смартфонах и другой технике, подешевеют в цене в средн

конце тоннеля В ближайшие месяцы на мировом рынке ожидает внушительное снижение цен на флеш-память NAND и модули оперативной памяти DRAM, сообщает исследовательская компания TrendForce. Это не

Контроллеры в цене Поставщики контроллеров флеш-памяти (NAND) сообщают о повышенном спросе на их продукцию и неспособностью полностью удовлетворить е

Компания Intel приняла решение отказаться от своего бизнеса по производству микросхем флеш-памяти (NAND). Она собирается продать его, и как пишет CNN, покупатель уже найден. Бизнес Intel по вы

Adata Technology, производитель высокоскоростных модулей памяти DRAM, продуктов на базе NAND Flash, а также мобильных аксессуаров, объявила о запуске двух новых SSD Adata Falcon и S

знес Intel Компания Intel рассматривает возможность закрытия производства чипов памяти стандарта 3D NAND и твердотельных накопителей на ее основе. Как пишет ресурс Block & Files, причиной этому

Western Digital объявила об успешном завершении разработки технологического процесса пятого поколения для производства памяти 3D NAND. Технология получила название BiCS5 и закрепила лидирующие позиции компании в производстве передовых флеш-накопителей. Благодаря использованию в процессе BiCS5 трехуровневых (TLC) и четыре

пители (SSD) до конца 2019 г. могут существенно подорожать на фоне роста стоимости микросхем памяти NAND. Контрактные цены на NAND-модули, по данным ресурса Digitimes, прекратили падение

Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти NAND для встраиваемых решений, которое отличается повышенной ёмкостью и производительностью.

Samsung Electronics объявила о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 2

Новая архитектура флэш-памяти Micron Technology и Intel представили новейшие чипы флэш-памяти типа 3D NAND (так называемой вертикальной памяти). Микросхема состоит из 64 слоев, заполненных ячейками емкостью четыре бита каждая. Такая ячейка называется QLC (Quad-Level Cell – четырехуровневая ячей

первой в отрасли 512-гигабайтной встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенной для мобильных устройств нового поколения. Благодаря использованию 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Samsung, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую производительность для новых смартфонов и планшетов топ-класса. «Новая память Samsung 512 ГБ eUFS является наил

Компания Samsung представила новые решения памяти V-NAND (Vertical NAND) и технологию, которая позволит удовлетворить жесткие требования систем для обработки и хранения данных следующего поколения. В компании отмечают, что в связи с быстр

Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства 64-слойной флэш-памяти V-NAND 256Gb, предназначенной для расширения линейки решений хранения данных, которые будут использоваться в серверах, ПК и мобильных устройствах.После того как в январе компания Samsung начала п

Western Digital Corporation представила твердотельные накопители для клиентских систем, построенные на базе 64-слойной технологии 3D NAND. Это технологическое достижение позволяет компании выпускать новые инновационные твердотельные накопители, отличающиеся более низким энергопотреблением, увеличенной производительностью, по

в линейке XPG - SX7000. Новинка выполнена в форм-факторе M.2 2280 и в ее основе лежит память 3D TLC NAND вкупе с контроллером SMI. Накопитель подключается к материнской плате по интерфейсу PCI

Adata Technology представила новинку в линейке решений 3D NAND, 2,5-дюймовый SSD-накопитель с интерфейсом SATA 6Gb/s - Ultimate SU700. Модель SU700, емкостью до 960 ГБ, основана на новом контроллере Maxiotek. Технологии коррекции ошибок, WriteBoost SL

Adata Technology представила внешний SSD-накопитель XPG SD700X. Как рассказали CNews в компании, новинка защищена от воды и пыли по стандарту IEC IP68 и от ударов по военным стандартам. Память типа 3D TLC NAND емкостью 256 ГБ, 512 ГБ или 1 ТБ упакована в корпус в геймерском стиле и подключается по интерфейсу USB 3.1 к устройствам Windows, Xbox One, PS4 и Android. При скорости чтения и зап

явила о выпуске твердотельного накопителя (SSD) XPG SX950 и корпуса EX500, выполненных в геймерском стиле. Как рассказали CNews в компании, в накопителе объемом до 960 ГБ используется новая память 3D MLC NAND с контроллером SMI и специальной PCB платой. Микросхемы для данной модели проходят процесс тестирования, гарантируя высокий срок службы. Скорость чтения и записи составляет, соответств

Western Digital Corp. объявила о начале опытно-промышленного производства 512-гигабитного 64-слойного чипа 3D NAND памяти (BICS3) с тремя битами на ячейку (X3) на фабрике Yokkaichi в Японии и планах запуска этих микросхем в массовое производство во второй половине 2017 г. «Запуск первого в отрасли 512-

Toshiba объявила о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC eMMC версии 5.1 и требованиям спецификации AEC-Q100 Grade2. Как рассказали CNews в компании, в ассортименте представлены устройства емкостью 8, 16, 32 и 64

6Gb/s в форм-факторе 2,5 дюйма. Как рассказали CNews в компании, в модели SU900 применяется память NAND-типа с технологией 3D MLC и контроллер SMI 2258. Емкость SSD новой серии достигает 2ТБ,

Premier SV620H. Как рассказали CNews в компании, новые модели являются частью стратегии Adata по переводу существующих решений на технологию 3D NAND. SSD SC660H и SV620H основаны на новой технологии 3D TLC NAND, заменившей традиционную 2D NAND, и обеспечивают более высокую надежность, долговечность и эффективность. Накопители подключаются к ПК по интерфейсу USB 3.1 Gen 1 и доступны в вариа

Transcend Information представил новый твердотельный накопитель на основе памяти 3D NAND. Как рассказали CNews в компании, выпуск 2,5-дюймовых твердотельных накопителей Transcend SSD230 на основе памяти 3D NAND позволил увеличить объем, скорость передачи данных и надежн

News сообщили в Toshiba. По задумке компании, это расширение серии позволит проектировщикам пользоваться возможностями соотношения цены и производительности передовой технологии 24 нм флэш-памяти SLC NAND Toshiba во всем спектре емкостей от 1 до 128 ГБ. Как и другие изделия этой серии, новое устройство сочетает высокую производительность чтения и записи, большое количество циклов записи (с

растущие потребности сетей для обработки крупных объемов данных, облачных вычислений и анализа в режиме реального времени. В частности, компания продемонстрировала свою память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпоративного класса, а также накопитель Z-SSD — новое решение с высокой производительностью

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) выпустила новую серию 15-нм флэш-памяти eMMC NAND для автомобильных информационно-развлекательных систем и промышленных устройств. Память eMMC для автомобильной промышленности имеет широкий диапазон рабочих температур — от -40 до 85 °C и 

ой производитель мультимедиа и накопителей, представила новый твердотельный накопитель SSD360S в 2,5-дюймовом форм-факторе, построенный на базе современного контроллера Transcend TS6510 и флэш-памяти MLC NAND. Благодаря использованию интерфейса нового поколения SATA III 6 Гбит/с накопитель Transcend SSD360S осуществляет чтение и запись данных на скоростях до 540 МБ/с и 340МБ/с, соответствен

Компания Transcend Information, производитель продуктов для промышленного применения, представила новые твердотельные накопители SSD570 в 2,5-дюймовом форм-факторе, оснащенные флэш-памятью типа SLC NAND, которые пополнят портфель продуктов компании для промышленного применения. Как сообщили CNews в Transcend, благодаря использованию интерфейса нового поколения SATA III 6 Гбит/с накопители

Компания Samsung Electronics объявила о включении трех экономичных и высокопроизводительных моделей твердотельных дисков, разработанных на базе 3D-технологии Vertical NAND (V-NAND), в линейку SSD для крупных предприятий и центров обработки данных. Эти модели дисков уже доступны для заказа, сообщили CNews в Samsung. Новые модели твердотельных дисков —

Компания Toshiba объявила о разработке модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» Through Silicon Via (TSV). Как сообщили CNews в Toshiba, прототип будет впервые продемонстрирован на Самми

s Co. объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев массивов 3-разрядных многоуровневых ячеек (ML

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о выпуске новой серии гибридных твердотельных накопителей (SSHD), оснащенных 19-нанометровой флэш-памятью Toshiba NAND второго поколения (NAND). Новый накопитель SSHD MQ02ABD100H имеет емкость 1 ТБ при высоте устройства 9,5 мм, а модель MQ02ABF050H — 500 ГБ при высоте 7 мм. Новейшие накопители SSHD